자성유체씰제조.판매.리가꾸메카트로닉스 (주)

Epitaxial growth system Vacuum transport robot CVD equipment Sputtering systems Ion implanter Single crystal growth Vacuum chuck mechanism Vacuum furnace / Pressurized furnace Etching systems X-ray generator Stirrer Gas induction mechanism Arc discharger

Photovoltaic Processing Equipment

Semiconductor Processing Equipment

LCD Processing Equipment

Organic EL Display Processing Equipment

롤 to 롤 성막 장치

디스플레이 · 조명 · 태양 전지 등 플렉서블 디바이스 제조

롤 to 롤 성막은 롤 모양의 필름 기판을 진공 상태에서 감아 내고 스퍼터 · 증착 · CVD 등의 방법으로 연속적으로 증착하고, 다시 롤상에 감는 방식의 성막 방법이다.롤 to 롤 방식에 의한 성막은 디스플레이나 태양 전지를 비롯한 플렉서블 디바이스의 양산화를 향한 중요한 생산 기술 중 하나로 자리 잡고 있다.

자기 씰은 O 링과 씰-처럼 마모에 의한 분진이 없기 때문에 성막면을 오염시킬 염려가 없고, 롤 to 롤 성막 장치에 적합하다.

프로세스의 다량화, 고품질화, 저비용 화 등의 과제 해결에 자기 씰을 채용한다.

롤 to 롤 성막 장치에 적합한 자기 씰

회전축이 자성체가 아닌 것, 긴축 등 특수 형상의 것을 사용할 수 있는 축 삽입 타입의 마그네틱 씰이 적합하다. 표준 구조의 F1T-B 시리즈, 또는 진공 측에 베어링을 배치하지 않은 캔틸레버 F1T-C 시리즈 중에서 선택할 수 있다.

사용 조건의 문의에 따라서. 최적의 자석 씰-을 소개 한다.

진공 로봇

로봇 씰-의 고기능화를 실현한다

리가꾸 자기 씰- 유닛은 클-린 / 진공 로봇의 용도 다양화 에서 고객 사양에 적극적으로 맞춘다. 리가꾸의 우수한 기술로 FPD 기판 및 반도체 웨이퍼의 대형화에 의한 미세한 위치 결정정도를 지원하여 중심 축들의 진동을 감소 시켰다.
또한 차압 씰-이나 벨로우즈 씰- (직진 왕복 운동)과의 조합 등으로 고객의 다양한 요구에 부응 할 수 있다.

  • 선단 부위의 오차 없는 고정밀 다축 씰-이나, 리가꾸 X 선 회절 장치등 에서 축적 된 정밀 가공기술로 대응한다.
  • 각 실-간에 자기장의 간섭이 없는 독특한 자기 회로로 다축 씰-을 컴팩트화 한다.
  • 강력한 자석과 폴 피스의 정밀 가공 기술로, 직경 100mm 이상의 대구경 씰-도 가능하다.
  • 20kPa 이하의 압력차 에도 견디는 평면 방진 씰-도 가능합니다.

검토고객분들의 참고사항

다축 형 자기 씰-, 평면 방진 씰-은 주문 제작 하는 제품입니다.
검토하시는 고객께서는 사용 환경, 사용 온도 범위, 원하는 형상과 하중 조건, 필요한 공차등.,

조건을 주시면 보다 정확하고 신속한 회신을 받아 보실 수 있습니다.

CVD 장치

고온 활성 가스에 견딜 수 있는 자기씰-을 제공합니다.

당사는 옛날부터 대형 CVD 장치 제조업체에 수많은 자기 씰-을 정식으로 주문 받아서 제공하고 있습니다.
그 경험에서 장시간의 연구와 테스트를 거듭 한 결과, 고온 에서도 거의 아웃 가스가 나오지 않는 새로운 자성 유체의 개발에 성공했습니다. 이 새로운 자성 유체와 자기 씰 구조 개량에 의해, CVD 장치 용으로 종래 불가능하다고 여겨져 있던 사양 조건에서의 긴 수명으로 성공한 자기 씰- 유닛을 제공합니다.
또한 정밀한 가공과 숙련 된 조립에 의해 얼룩이 없는 부드러운 회전 자기 씰-을 안정적으로 제공하고있고, 생성 막 두께의 균일화에 기여하고 있습니다.

CVD 장치에 적합한 자기씰-

CVD 장치는 부식성 가스를 사용하실 경우가 많기 때문에 프로세스 측에 베어링이 없는

캔틸레버 FMB-C, 캔틸레버 F1B-C , 캔틸레버 F1T-C 를 권장합니다.
또한 프로세스에 따라 부품 소재까지 고려하므로 꼭 당사 전문가와 사전 협의 해 주시기 바랍니다.

제품 선정시에는 사용 온도 범위 및 사용 가스 등에 주의하시기 바랍니다.
원하는 모양과 하중 조건 등을 알려 보내주시면 신속한 답변을 보내드립니다.

대표적인 CVD 장치를위한 자기 씰

스퍼터링 장치

누설 자속이 적은 자기 씰-을 제공합니다

태양 전지 · 터치 패널 · 평판 디스플레이 제조에 필요한 투명 도전 막 · 반사 방지막을 형성하는 스퍼터링 장치, 리가꾸 자석 씰-은 많은 실적을 가지고 있습니다.
대향 타겟 법, 이온빔 법, 마그네트론 법, ECR 법, 반응성 스퍼터링 등, 다양한 방식의 스퍼터링 장치에 대응 가능합니다.
자석을 사용하는 자성 유체 씰-에서는 불가피 하다고 생각하는 자속누설이 있지만 리가꾸 자기씰- 은 독자적인 구조에 의해서 거의 누설 자기장이 없습니다. 케이스에서 10mm 떨어진 위치에서는 지면 자기정도 이기때문에 플라즈마 이온이나 전자에 미치는 영향을 걱정하지 않고 안심하고 사용하실 수 있습니다.

스퍼터링 장치에 적합한 자기 씰

금속 오염을 방지하기 위해 진공 측에 베어링을 배치하지 않은 캔틸레버 FMB-C시리즈 ,
캔틸레버 F1B-C 시리즈 를 추천합니다. 또한 축 삽입 타입의 마그네틱 씰은 회전축에 전극 및냉각기구 등을 통과시킬 수 있습니다. 캔틸레버 F1T-C 시리즈 를 추천합니다.

선정시에는 사용 온도 범위 및 하중 등에 주의하시기 바랍니다.
특수 사양을 희망하시는 경우는 자기 씰- 문의 양식 으로 문의하시기 바랍니다.

이온 주입 장치

중심 흔들림을 최소한으로 억제하며 고속 회전을 전달합니다

리가꾸 독자적인 기술을 사용함으로써 공진을 억제하며 고속 회전을 실현했습니다.고온, 고진공 · 고하중의 사양에서도 중심 흔들림이 적고 수명이 깁니다.

모든 종류의 이온 주입 장치 용 자기 씰- 유닛의 제작이 가능합니다.

이온 주입 장치에 적합한 자기 씰

이온 주입 장치는 고속 회전으로 사용하실 경우가 많기 때문에 진공 측에 베어링이 없는

캔틸레버 FMB-C, 시리즈 캔틸레버 F1B-C 시리즈 , 캔틸레버 F1T-C 를 권장합니다.

또한 고속 회전시의 발열을 억제하기 위해 수냉식 타입을 검토해 주시고 당사의 전문가 상담을 해 주시기 바랍니다.

선정시에는 사용 온도 범위 및 사용 가스 등에 주의하시기 바랍니다.
표준품으로 대응할 수 없는 경우는 원하는 형상과 하중 조건 등을 준비하여 당사에 연락 주시면 신속한 답변 드리겠습니다.

단결정 성장 장치

자장의 영향에 견디는 성능이 우수합니다

φ300mm 이상의 결정 덩어리를 늘리려면 MCZ 방식, 첨단 자기장 방식 등 강력한 자기장의 힘이 필요하기 때문에 그 때 사용되는 자석 씰-은 자기장에 영향을 받지 않는 것이 절대 조건이 되고 있습니다 . 자기장에 강한 리가꾸 독자적인 자기 씰- 구조는 SSi 연구소에서 φ400mm 잉-곳 인상에 기여한 것으로 증명되고 있습니다.

단결정 성장 장치에 적합한 자기 씰

단결정 인상 주입 장치에서 사용하실 경우에는 고객의 축에 씰-의 기능을 조합 시킨 표준 NFT-B 시리즈표준 F1T-B 시리즈 , 권장합니다.
또한, 도가니와 리프트 장치를 지지하고 정밀하게 회전시키는 것도 가능한 자석 씰-도 제작 실적이 있습니다.

선정시에는 사용 온도 범위 및 사용 가스 등에 주의하시기 바랍니다.
표준품으로 대응할 수 없는 경우는 원하는 형상과 하중 조건 등을 준비하여 당사에 연락 주시면 신속한 답변 드리겠습니다.

진공 척

샘플의 흡착에 최적

웨이퍼나 액정 유리 반송 시 또는 스핀 코터 등의 순간에서의 고속 회전 시 등, 샘플에 긁힘이 없도록 제대로 된 흡착이 가능합니다.자기 씰-을 통해 진공 흡입함으로써 불필요한 공간을 없애고 장치 전체의 소형화를 할 수 있는 장점 외에도 안정된 회전 성능을 발휘 할 수 있기 때문에 진공 척에 대한 자기 씰-의 수요가 점차 증가하고 있습니다.

진공 척 채용을 검토하는 고객

진공 척 용 마그네틱 씰-은 맞춤 제품입니다.
검토 고객은 대상물, 사용 환경, 사용 온도 범위, 회전 수, 원하는 형상과 하중 조건, 필요한 공차 등을 준비하여 당사에 연락 주시면 신속한 답변 드립니다.

진공 오븐 · 가압로

진공 및 가압을 동시 사용하는 진공 열처리로 외, 다양한 용도의 로

철강 및 비철 재료에 대한 열처리 중 감압 한 분위기에서 실시하는 진공 열처리 “품질 · 환경 적 효과가 기대되는 기술입니다.
진공 열처리로에서 ‘담금질’이라는 처리는 감압 오븐에서 재료를 고온으로 유지 한 후 고압의 가스를 순환시켜 급속하게 냉각하는 공정을 말합니다.
이 가압 가스를 순환시키기 위한 팬의 회전 도입에 리가꾸 자기 씰-은 다수 채용되어 있습니다. 샤프트 강도가 높은 리가꾸의 독자적인 자기 씰 구조로써 높은 하중 · 높은 토크 전달이 가능합니다.

고압 용 자기씰-의 제작 예

리가꾸 자기 씰-은 진공 열처리로, 소결로, 탄소주입로 · 진흙화로 등 다양한 용도의 산업용로

로써 실행 중입니다.
아래 그림은 최고 0.9MPa의 압력에 견딜 자기 씰-의 제작 예입니다.

고압로 사용을 검토하시는 고객

고압 형 자기씰-은 주문 제-작 제품입니다. 검토 고객께서는 가압압력, 환경, 온도범위, 회전수,

하중 등의 조건들을 준비하여 제품문의 양식에 작성하여 주시면 신속한 상담을 준비 하겠습니다.

에칭 장치

모든 사양에 대응하는 자기 씰을 목표로

활성 가스, 고온 용, 고속 회전, 플라즈마, 전극, 이온 빔, 강자 장, 누설 자속 등 에칭 장치에 사용되는 다양한 스펙과 가공 방법.
기존의 마그네틱 씰-은 불가능 하다고 했던, 그런 모든 영역을 클리어 할 수 있는 날을 목표로 리가꾸 자석 씰-은 새로운 도전을 계속하고 있습니다.

X선 회절장치에 적용

엑스선발생장치 이용

시료에 X-ray가 조사되면 원자주위의 전자들이 엑스레이에 의해 산란되거나 회절 되어 나오는데 이 엑스레이를 해석하면 물질의 결정구조를 알기 위한 실험장치 입니다. 적용분야는 연구개발, 반도체, 범죄수사, 오염분석 등 광범위한 어플리케이션에 사용되고 있습니다.

회전대음극(Rotating Target)

엑스선 회절장치에서 엑스선을 발생시키고 있는 부분의 명칭이며 진공중에 고속 회전하는 타킷(대음극)에 열전자를 충돌시키면 엑스선이 발생합니다.

마그네틱 씰 사용

이 타킷의 내부는 열이 매우 많이 발생하므로 마그네트씰을 사용하여 회전타킷의 고열을 식히고 챔버의 고진공을 유지하기 위하여 리가꾸의 특별한 기술력으로 디자인된 마그네틱씰을 사용하며 매우 높은 고출력의 엑스선을 발생 시킬 수 있습니다.

교반 장치

물 처리를 통해 환경 보호에 기여하고 있습니다

리가꾸 자석 자기씰-은 생활 배수 및 공장 폐수를 처리하는 과정에서 발생하는 “오염”를 처리하는 폐수정수장치 의 축 씰-에 채용 되고 있습니다.
자기 씰-은 슬러지 중의 유기물을 발효시키는 과정에서 발생하는 메탄 및 독성 황화수소 등의 가스가 외부로 유출되는 것을 방지하고 있습니다.
또한 기존의 물씰- 방법과 비교하여 유지 보수가 거의 필요 없 는 장점이 있습니다.

다양한 교반조용 축 씰-

자기 씰-은 감압 가압 모두 환경에 대응하고, 누설량은 거의 제로입니다.
(He 리크 량 : 9.9 × 10 -11 Pa-m 3 / sec 이하)
압력 반응기 · 교반 조 및 진공 믹서 , 진공 탈 포기 의 축 밀봉에도 사용할 수 있습니다. 메카니컬 씰이나 그랜드 패킹처럼 마모 가루가 발생하지 않기 때문에 제조물을 오염시킬 염려가 없습니다. 더구나 씰- 액의 공급과 설치 나사 조임 등의 보수 작업이 필요하지 않으므로 최적의 용품입니다.
검토 고객은 사용 환경 (압력 가스) 사용 온도 범위, 속도, 하중 조건 등을 작성하셔서 연락 해 주시면 신속한 대응 해 드리겠습니다.

가스 도입기

잘 알려지지 않은 자기 씰의 가스 도입

자기 씰-에 가스 유입 씰- 유닛을 보호 할 목적으로 퍼지 가스 유입 및 장치의 반응 가스를 자기 씰-에 유입하는 목적으로 크게 영향을 미치는 것을 두가지로 나누게 보게 됩니다.

어떤 경우에도 자기 씰-을 통해 가스를 도입함으로써 장치 전체를 보다 간단하고 효율적으로 하는 것도 가능하게 됩니다.


가스 유입기 채용을 고려하는 고객

가스 유입 용 마그네틱 씰-은 맞춤 제품입니다.
검토 고객은 사용 온도 범위 및 사용 가스, 원하는 형상과 하중 조건 등을 작성하셔서 연락 주시면 보다 신속 정확한 답변을 드립니다.

아크 / 아크 이온 플레이팅 장치

친환경 기능성 박막의 드라이 코팅

드라이 코팅은 주로 진공 상태에서 재료의 표면에 금속이나 세라믹 박막을 형성하는 방법입니다.
다이아몬드 상 카본 (DLC), TiN, TiCN 등의 박막이 대표적이고, 절삭 공구 및 금형, 자동차 부품, 의료 기기, 가전 제품 및 그 제조 장치 등 폭 넓은 분야에 응용되고 있습니다.
재료 표면에 내마모성, 낮은 마찰, 내식성, 내 산화성이 우수한 이러한 박막을 코팅하여 제품의 성능, 수명, 사용 범위 등을 대폭 향상 할 수 있기 때문에 지구 자원의 유효 활용 및 환경 대책에도 유망 할 것으로 예상되고 있습니다.

아크 이온 플레이팅 방법

아크 이온 플레이 팅 방법은 PVD의 일종이며, 대상을 아크 방전에 의해 증발 및 이온화시켜 성막하는 방법입니다.
아크 방전 특성에 따라 치밀하고 밀착력이 좋은 피막을 고속으로 형성 할 수 있기 때문에 양산 성 및 프로세스 안정성이 우수합니다.따라서 절삭 공구의 경질 내마모성 피막 코팅과 자동차 부품에 대한 낮은 마찰 계수, 내마모성 피막 코팅 양산 용 장비가 도입되고 있습니다. 분진이없이 깨끗하고 수명이 긴 리가꾸 자석 씰-은 아크 이온 플레이 팅 장치의 테이블과 타-킷의 회전에 최적합 합니다.

아크 이온 플레이팅 장치에 적합한 자기 씰

축삽입형 샤프트 타입의 마그네틱 씰-은 회전축에 전극 및 냉각기구 등을 통과시킬 수 있습니다.
표준 구조의 표준 F1T-B 시리즈 진공 측에 베어링을 배치하지 않은 캔틸레버 F1T-C 시리즈 를 권장합니다.

선정시에는 사용 온도 범위 및 하중 등에 주의하시기 바랍니다.
특수 사양을 희망하시는 경우는 자기 씰의 제품문의 양식 에 기입하시고 문의해 주시면 보다 신속 정확한 대응을 해 드릴 수 있습니다.

에피 택셜 성장 장치

고속 회전이 필요한 MOCVD 시스템에 최적

조명의 광원으로 주목 받고있는 LED (Light Emitting Diode = 발광 다이오드)는 전기 에너지를 빛으로 바꾸는 반도체입니다. 긴수명 · 절전 · 높은 내구성 · 고휘도가 특징이며, 대형 디스플레이, 액정의 백라이트, 자동차 헤드 라이트, 조명 등 다양한 제품에 채택되어 급속히 보급되고 있습니다.
LED 제조에 사파이어 등의 기판에 GaAs, GaP, GaN 등의 박막을 성장시킨 에피 택셜 웨이퍼가 필수적입니다. GaAs, GaP, GaN은 주로 MOCVD (유기 금속 기상 성장 법)으로 성막 합니다.고속 회전, 고진공, 염화물 · 유기 금속 등의 활성 가스 분위기에 대응 가능한 자기씰-은 다양한 방식의 에피 택셜 성장 장치에 적합합니다.에피 텍셜 성장에 대한 궁금한 사항은 아래 별도로 설명 해 놓았으니 참조 하시기 바랍니다.

에피 택셜 성장 장치에 적합한 자기 씰

축삽입 샤프트 타입의 마그네틱 씰-은 회전축에 고주파 코일 용 전극 등을 통과 시킬 수 있습니다.
표준 구조의 표준 F1T-B 시리즈 진공 측에 베어링을 배치하지 않은 캔틸레버 F1T-C 시리즈 중에서 선택할 수 있습니다.

또한 회전축에서 여러 계통의 가스를 도입하는 것이 가능한 가스 도입 유형의 자기 씰-등 특수 사양에 적극적으로 대응하고 있습니다.

에피택셜 성장이란

단결정 기판 위에 결정 방위가 갖추어 진 단결정 박막을 성장시키는 방법입니다.
대표적인 기상 에피 택셜 성장 법으로 MOCVD 법, MBE 법, HVPE 법이 있습니다.

>MOCVD 법 (유기 금속 기상 성장 : Metal Organic Chemical Vapor Deposition)
유기 금속 화합물 증기에서 결정을 성장시키는 방법입니다. (MOVPE법 이라고도 합니다).

LED를 구성하는 금속에 메틸기 (-CH3)를 추가하면, 상온에서 높은 증기압을 갖는 액체 또는 고체 유기 금속 재료를 얻을 수 있습니다. 이 유기 금속 재료 증기와 수소 가스를 가열 한 기판에 분사 열분해 시켜 반도체 결정 막을 만듭니다.

>MBE 법 (분자선 결정 성장 법 : Molecular Beam Epitaxy)
초고 진공 상태에서 재료를 가열 증발시켜 증발 분자의 비산 방향을 모았다가 제트 스트림 (분자선)을 가열 한 기판에 조사하여 결정 성장을 하는 방법입니다.

>HVPE 법 (하이드 라이드 기상 성장 법 : Hydride Vapor Phase Epitaxy)
고온에서 기체의 염화물 가스에서 결정을 성장시키는 방법입니다. LED를 구성하는 금속 재료의 염화물 가스 및 비금속 재료의 수소 가스를 기판상에서 반응시켜 반도체 결정을 성막합니다.